IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 273W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Інші пропозиції IPT020N10N5ATMA1 за ціною від 130.55 грн до 496.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 3979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPT020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 11172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPT020N10N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 273W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 216.67 грн |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 297.61 грн |
| 61+ | 231.57 грн |
| 100+ | 184.39 грн |
| 500+ | 164.85 грн |
| 1000+ | 145.80 грн |
| 2000+ | 130.55 грн |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 307.57 грн |
| 63+ | 227.30 грн |
| 100+ | 215.94 грн |
| 500+ | 190.45 грн |
| 1000+ | 166.01 грн |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 312.04 грн |
| 10+ | 230.61 грн |
| 100+ | 219.08 грн |
| 500+ | 193.22 грн |
| 1000+ | 168.43 грн |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 393.83 грн |
| 10+ | 252.44 грн |
| 50+ | 197.93 грн |
| 100+ | 169.29 грн |
| 500+ | 151.70 грн |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 480.25 грн |
| 52+ | 275.79 грн |
| 100+ | 253.98 грн |
| 500+ | 216.04 грн |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 496.69 грн |
| 10+ | 285.22 грн |
| 100+ | 262.68 грн |
| 500+ | 223.43 грн |
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT020N10N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)