Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N5ATMA1
IPT020N10N5ATMA1

IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+111.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPT020N10N5ATMA1 за ціною від 112.77 грн до 360.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.57 грн
500+145.08 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+183.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.88 грн
10+230.99 грн
100+183.93 грн
500+164.44 грн
1000+145.43 грн
2000+130.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.28 грн
61+232.09 грн
100+184.80 грн
500+165.22 грн
1000+146.12 грн
2000+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.65 грн
10+210.59 грн
100+149.27 грн
500+122.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT020N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.90 грн
10+223.71 грн
100+138.15 грн
500+120.53 грн
2000+112.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+360.17 грн
50+238.47 грн
100+168.57 грн
500+145.08 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+168.57 грн
500+145.08 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+183.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+296.88 грн
10+230.99 грн
100+183.93 грн
500+164.44 грн
1000+145.43 грн
2000+130.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
48+298.28 грн
61+232.09 грн
100+184.80 грн
500+165.22 грн
1000+146.12 грн
2000+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+330.65 грн
10+210.59 грн
100+149.27 грн
500+122.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 Infineon-IPT020N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+342.90 грн
10+223.71 грн
100+138.15 грн
500+120.53 грн
2000+112.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+360.17 грн
50+238.47 грн
100+168.57 грн
500+145.08 грн
1000+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.