IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 105.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPT020N10N5ATMA1 за ціною від 108.99 грн до 420.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 273W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V |
на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 12430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 3976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 3979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPT020N10N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 260A Power dissipation: 273W Case: HSOF-8 On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |