Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N13NM6ATMA1

IPT020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPT020N13NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 45014804-3
Price: 349520.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2000+	174.76 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPT020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 297A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 395W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm.

Інші пропозиції IPT020N13NM6ATMA1 за ціною від 170.15 грн до 492.39 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPT020N13NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	469.55 грн
50+	315.72 грн
100+	226.32 грн
500+	194.45 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	469.55 грн
50+	315.72 грн
100+	226.32 грн
500+	194.45 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	472.77 грн
10+	312.00 грн
100+	218.15 грн
500+	193.30 грн
1000+	171.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 2771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.39 грн
10+	317.40 грн
100+	228.55 грн
500+	178.93 грн
1000+	170.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	469.55 грн
50+	315.72 грн
100+	226.32 грн
500+	194.45 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm

на замовлення 705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	469.55 грн
50+	315.72 грн
100+	226.32 грн
500+	194.45 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	472.77 грн
10+	312.00 грн
100+	218.15 грн
500+	193.30 грн
1000+	171.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT020N13NM6ATMA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 2771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	492.39 грн
10+	317.40 грн
100+	228.55 грн
500+	178.93 грн
1000+	170.15 грн

В кошику од. на суму грн.