Продукція > INFINEON > IPT023N10NM5LF2ATMA1
IPT023N10NM5LF2ATMA1

IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON

4409621.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+275.20 грн
500+228.05 грн
1000+206.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPT023N10NM5LF2ATMA1 за ціною від 144.80 грн до 426.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT023N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191e9ae9d251ac3 Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.43 грн
10+229.26 грн
100+163.24 грн
500+144.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IPT023N10NM5LF2_1_0_final.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.59 грн
10+326.76 грн
25+253.86 грн
100+222.03 грн
250+202.62 грн
500+197.96 грн
2000+167.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT023N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191e9ae9d251ac3 Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.