Продукція > INFINEON > IPT023N10NM5LF2ATMA1
IPT023N10NM5LF2ATMA1

IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON

4409621.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+184.19 грн
500+161.11 грн
1000+141.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 243A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPT023N10NM5LF2ATMA1 за ціною від 136.72 грн до 422.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT023N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191e9ae9d251ac3 Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.37 грн
10+216.47 грн
100+154.13 грн
500+136.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4409621.pdf Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.95 грн
10+258.20 грн
100+184.19 грн
500+161.11 грн
1000+141.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IPT023N10NM5LF2_1_0_final.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.66 грн
10+273.16 грн
100+174.80 грн
500+155.06 грн
1000+137.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPT023N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191e9ae9d251ac3
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+339.37 грн
10+216.47 грн
100+154.13 грн
500+136.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 4409621.pdf
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+388.95 грн
10+258.20 грн
100+184.19 грн
500+161.11 грн
1000+141.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon_09-04-2024_DS_IPT023N10NM5LF2_1_0_final.pdf
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+422.66 грн
10+273.16 грн
100+174.80 грн
500+155.06 грн
1000+137.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.