Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT023N10NM5LF2ATMA1
IPT023N10NM5LF2ATMA1

IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT023N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191e9ae9d251ac3 Виробник: Infineon Technologies
Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.87 грн
10+234.64 грн
100+167.10 грн
500+129.77 грн
1000+121.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPT023N10NM5LF2ATMA1 за ціною від 201.66 грн до 454.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_09_04_2024_DS_IPT023N10NM5LF2_1_0_final-3500644.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.05 грн
10+376.53 грн
25+308.82 грн
100+264.17 грн
250+250.03 грн
500+235.15 грн
1000+201.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1 IPT023N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT023N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191e9ae9d251ac3 Description: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.