Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT025N15NM6ATMA1
IPT025N15NM6ATMA1

IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+210.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPT025N15NM6ATMA1 за ціною від 216.38 грн до 610.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT025N15NM6ATMA1 IPT025N15NM6ATMA1 INFINEON 4406514.pdf Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+414.44 грн
100+308.36 грн
500+278.70 грн
1000+249.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.81 грн
10+350.25 грн
100+255.80 грн
500+232.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT025N15NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.27 грн
10+376.09 грн
100+239.64 грн
500+231.89 грн
1000+227.66 грн
2000+216.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 IPT025N15NM6ATMA1 INFINEON 4406514.pdf Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.97 грн
10+414.44 грн
100+308.36 грн
500+278.70 грн
1000+249.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 4406514.pdf
IPT025N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+414.44 грн
100+308.36 грн
500+278.70 грн
1000+249.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c
IPT025N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+536.81 грн
10+350.25 грн
100+255.80 грн
500+232.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon_IPT025N15NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPT025N15NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+563.27 грн
10+376.09 грн
100+239.64 грн
500+231.89 грн
1000+227.66 грн
2000+216.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 4406514.pdf
IPT025N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+610.97 грн
10+414.44 грн
100+308.36 грн
500+278.70 грн
1000+249.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.