Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT026N10N5ATMA1
IPT026N10N5ATMA1

IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+138.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 202A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції IPT026N10N5ATMA1 за ціною від 153.49 грн до 396.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt026n10n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt026n10n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.33 грн
58+246.29 грн
100+193.07 грн
500+177.37 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt026n10n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.45 грн
10+254.72 грн
100+199.68 грн
500+183.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.46 грн
10+254.19 грн
50+199.47 грн
100+170.67 грн
500+153.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT026N10N5_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 infineonipt026n10n5dsv0201en.pdf
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 infineonipt026n10n5dsv0201en.pdf
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+383.33 грн
58+246.29 грн
100+193.07 грн
500+177.37 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 infineonipt026n10n5dsv0201en.pdf
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+396.45 грн
10+254.72 грн
100+199.68 грн
500+183.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.46 грн
10+254.19 грн
50+199.47 грн
100+170.67 грн
500+153.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon_IPT026N10N5_DS_v02_01_EN.pdf
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.