Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT026N12NM6ATMA1
IPT026N12NM6ATMA1

IPT026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT026N12NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019145da561734a9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPT026N12NM6ATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+173.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 224A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 283W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції IPT026N12NM6ATMA1 за ціною від 178.84 грн до 493.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT026N12NM6ATMA1 IPT026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT026N12NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019145da561734a9 Description: IPT026N12NM6ATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.77 грн
10+304.09 грн
50+240.28 грн
100+206.22 грн
500+192.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1 IPT026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT026N12NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+493.39 грн
10+327.04 грн
100+205.22 грн
500+191.30 грн
1000+181.04 грн
2000+178.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1 IPT026N12NM6ATMA1 INFINEON 4423403.pdf Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1 IPT026N12NM6ATMA1 INFINEON 4423403.pdf Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1 Infineon-IPT026N12NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019145da561734a9
IPT026N12NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPT026N12NM6ATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.77 грн
10+304.09 грн
50+240.28 грн
100+206.22 грн
500+192.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1 Infineon_IPT026N12NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IPT026N12NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.39 грн
10+327.04 грн
100+205.22 грн
500+191.30 грн
1000+181.04 грн
2000+178.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1 4423403.pdf
IPT026N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1 4423403.pdf
IPT026N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.