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Технічний опис IPT026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 224A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPT026N12NM6ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPT026N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 224A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPT026N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 224A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT026N12NM6ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT026N12NM6ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)