Продукція > INFINEON > IPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1

IPT029N08N5ATMA1 INFINEON


3919298.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+215.49 грн
500+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT029N08N5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 169A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPT029N08N5ATMA1 за ціною від 131.92 грн до 395.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON 3919298.pdf Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+353.14 грн
10+284.19 грн
25+258.13 грн
100+215.49 грн
500+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT029N08N5_DS_v02_00_EN-1601415.pdf MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.25 грн
10+259.45 грн
25+224.86 грн
100+161.15 грн
500+133.41 грн
1000+131.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6057infineon-ipt029n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258f240be0158f2.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098 IPT029N08N5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098 Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT029N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258f240be0158f28c77120098 Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.