IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 214.18 грн |
| 69+ | 180.43 грн |
| 74+ | 167.04 грн |
| 100+ | 150.70 грн |
| 250+ | 134.26 грн |
| 500+ | 128.61 грн |
| 1000+ | 128.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 0.0032 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPT034N15NM6ATMA1 за ціною від 126.17 грн до 324.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 0.0032 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 0.0032 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package |
на замовлення 4164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |


