Технічний опис IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPT034N15NM6ATMA1 за ціною від 127.40 грн до 335.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 241.27 грн |
| 10+ | 205.77 грн |
| 25+ | 204.83 грн |
| 100+ | 167.35 грн |
| 250+ | 154.12 грн |
| 500+ | 143.22 грн |
| 1000+ | 127.40 грн |
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 241.27 грн |
| 69+ | 204.83 грн |
| 100+ | 167.35 грн |
| 250+ | 154.12 грн |
| 500+ | 143.22 грн |
| 1000+ | 127.40 грн |
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 335.60 грн |
| 10+ | 214.81 грн |
| 100+ | 153.14 грн |
| 500+ | 136.50 грн |
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)