IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 197.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPT034N15NM6ATMA1 за ціною від 114.64 грн до 376.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package |
на замовлення 4079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |