IPT034N15NM6ATMA1

IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies


infineonipt034n15nm6datasheetv0100en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+202.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT034N15NM6ATMA1 за ціною від 113.34 грн до 334.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT034N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f95a304b134b Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+204.71 грн
500+169.38 грн
1000+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt034n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+222.15 грн
69+188.61 грн
100+154.10 грн
250+141.91 грн
500+131.87 грн
1000+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt034n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.02 грн
10+203.00 грн
25+202.08 грн
100+165.10 грн
250+152.05 грн
500+141.29 грн
1000+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_ipt034n15nm6_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.54 грн
10+224.56 грн
100+157.72 грн
500+140.65 грн
1000+120.17 грн
2000+116.07 грн
4000+113.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT034N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f95a304b134b Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+324.20 грн
10+254.10 грн
100+204.71 грн
500+169.38 грн
1000+133.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt034n15nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.89 грн
10+214.35 грн
100+152.81 грн
500+136.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt034n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt034n15nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.