IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 294W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Інші пропозиції IPT034N15NM6ATMA1 за ціною від 149.74 грн до 396.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V |
на замовлення 3393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPT034N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPT034N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 396.23 грн |
| 10+ | 253.06 грн |
| 50+ | 198.01 грн |
| 100+ | 169.19 грн |
| 500+ | 149.74 грн |
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT034N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)