Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT039N15N5ATMA1
IPT039N15N5ATMA1

IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPT039N15N5_DataSheet_v02_01_EN-3362949.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.90 грн
10+433.17 грн
25+339.88 грн
100+300.16 грн
250+282.50 грн
2000+239.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPT039N15N5ATMA1 за ціною від 240.99 грн до 600.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.04 грн
10+393.13 грн
100+288.77 грн
500+240.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt039n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.