Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT039N15N5ATMA1
IPT039N15N5ATMA1

IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+170.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 319W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Інші пропозиції IPT039N15N5ATMA1 за ціною від 188.72 грн до 692.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+249.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+303.58 грн
500+287.04 грн
1000+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+303.58 грн
500+287.04 грн
1000+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.44 грн
10+296.23 грн
50+234.34 грн
100+201.23 грн
500+188.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.72 грн
37+393.33 грн
50+337.17 грн
100+282.23 грн
500+221.87 грн
2000+201.15 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+692.39 грн
10+465.66 грн
50+368.36 грн
100+325.00 грн
500+282.23 грн
2000+234.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON 3668058.pdf Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON 3668058.pdf Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+249.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+303.58 грн
500+287.04 грн
1000+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+303.58 грн
500+287.04 грн
1000+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.44 грн
10+296.23 грн
50+234.34 грн
100+201.23 грн
500+188.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+554.72 грн
37+393.33 грн
50+337.17 грн
100+282.23 грн
500+221.87 грн
2000+201.15 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 infineonirfn9240datasheetv0101en.pdf
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+692.39 грн
10+465.66 грн
50+368.36 грн
100+325.00 грн
500+282.23 грн
2000+234.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 3668058.pdf
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 3668058.pdf
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.