Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT044N15N5ATMA1
IPT044N15N5ATMA1

IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb22898a6c9f
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+150.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.

Інші пропозиції IPT044N15N5ATMA1 за ціною від 136.74 грн до 439.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 INFINEON 3668059.pdf Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.33 грн
500+160.35 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb22898a6c9f Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.88 грн
10+248.69 грн
100+198.03 грн
500+154.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.17 грн
10+261.81 грн
100+162.11 грн
500+145.19 грн
1000+136.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 INFINEON 3668059.pdf Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+439.93 грн
50+293.56 грн
100+211.33 грн
500+160.35 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 3668059.pdf
IPT044N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+211.33 грн
500+160.35 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb22898a6c9f
IPT044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+371.88 грн
10+248.69 грн
100+198.03 грн
500+154.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IPT044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+397.17 грн
10+261.81 грн
100+162.11 грн
500+145.19 грн
1000+136.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 3668059.pdf
IPT044N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+439.93 грн
50+293.56 грн
100+211.33 грн
500+160.35 грн
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.