IPT047N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 161.08 грн |
| 10+ | 151.40 грн |
| 25+ | 143.99 грн |
| 100+ | 136.01 грн |
| 250+ | 125.68 грн |
| 500+ | 120.41 грн |
| 1000+ | 120.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT047N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 147A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 234W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.
Інші пропозиції IPT047N15NM6ATMA1 за ціною від 118.63 грн до 323.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT047N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT047N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT047N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 3866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT047N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IPT047N15NM6ATMA1 |
на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT047N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package |
на замовлення 6894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPT047N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 147A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 234W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPT047N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT047N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 161.08 грн |
| 95+ | 151.40 грн |
| 99+ | 143.99 грн |
| 101+ | 136.01 грн |
| 250+ | 125.68 грн |
| 500+ | 120.41 грн |
| 1000+ | 120.17 грн |
| IPT047N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 184.92 грн |
| IPT047N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 18.6A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 186+ | 192.21 грн |
| 500+ | 182.72 грн |
| 1000+ | 172.04 грн |
| IPT047N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPT047N15NM6ATMA1
Description: IPT047N15NM6ATMA1
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 323.18 грн |
| 10+ | 205.67 грн |
| 50+ | 160.39 грн |
| 100+ | 136.82 грн |
| 500+ | 118.63 грн |
| IPT047N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
на замовлення 6894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT047N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT047N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)