Продукція > INFINEON > IPT054N15N5ATMA1
IPT054N15N5ATMA1

IPT054N15N5ATMA1 INFINEON

Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+196.76 грн
1000+172.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT054N15N5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPT054N15N5ATMA1 за ціною від 146.13 грн до 483.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.83 грн
10+264.87 грн
100+190.04 грн
500+148.41 грн
1000+146.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 0.0046 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+437.76 грн
10+301.42 грн
100+221.75 грн
500+196.76 грн
1000+172.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT054N15N5_DataSheet_v02_01_EN-3362761.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.45 грн
10+400.77 грн
100+281.87 грн
500+250.39 грн
1000+215.25 грн
2000+197.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt054n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt054n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.