Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT059N15N3ATMA1
IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+270.46 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT059N15N3ATMA1 за ціною від 241.54 грн до 674.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+270.46 грн
500+259.27 грн
1000+245.04 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 41330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+270.46 грн
500+259.27 грн
1000+245.04 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+272.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON 3750004.pdf Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+326.81 грн
500+297.34 грн
1000+268.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+407.51 грн
38+324.55 грн
50+316.41 грн
500+303.54 грн
1000+252.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.74 грн
10+278.03 грн
100+263.45 грн
500+241.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON 3750004.pdf Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+455.56 грн
50+348.27 грн
100+326.81 грн
500+297.34 грн
1000+268.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT059N15N3_DS_v02_02_EN-1731917.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.62 грн
10+465.32 грн
25+381.82 грн
100+300.16 грн
500+295.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT059N15N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT059N15N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.