Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPT059N15N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 4571873-3
Price: 326220.00 UAH
Availability: InStock

IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	163.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT059N15N3ATMA1 за ціною від 143.24 грн до 405.98 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	172.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 41049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
136+	226.87 грн
500+	215.58 грн
1000+	203.26 грн
10000+	184.12 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
136+	226.87 грн
500+	215.58 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
136+	226.87 грн

Мінімальне замовлення: 136

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	233.62 грн
500+	180.51 грн
1000+	143.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	299.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	340.38 грн
10+	266.73 грн
100+	203.00 грн
500+	178.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	351.28 грн
10+	284.77 грн
100+	225.94 грн
500+	186.84 грн
1000+	148.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	361.78 грн
10+	289.31 грн
100+	199.13 грн
500+	187.73 грн
1000+	161.13 грн
2000+	154.29 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
34+	370.63 грн
38+	328.09 грн
100+	252.40 грн
500+	229.84 грн
1000+	182.78 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 4558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
31+	399.12 грн
38+	330.36 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	405.98 грн
10+	341.35 грн
100+	267.73 грн
500+	239.65 грн
1000+	196.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT059N15N3ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC97DF0F24411C&compId=IPT059N15N3-DTE.pdf?ci_sign=66cd6e0cfb8b27ca5ca43a5281c03ffd44ab639a

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.