Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT059N15N3ATMA1
IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+278.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPT059N15N3ATMA1 за ціною від 292.01 грн до 804.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+302.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+329.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+338.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+349.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+376.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON 3750004.pdf Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+462.84 грн
50+ 412.39 грн
100+ 364.62 грн
250+ 343.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+569.8 грн
10+ 470.18 грн
100+ 391.83 грн
500+ 324.46 грн
1000+ 292.01 грн
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT059N15N3_DS_v02_02_EN-1731917.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+618.43 грн
10+ 522.84 грн
25+ 436.62 грн
100+ 379.2 грн
250+ 374.53 грн
500+ 334.47 грн
1000+ 301.09 грн
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+642.58 грн
5+ 552.71 грн
10+ 462.84 грн
50+ 412.39 грн
100+ 364.62 грн
250+ 343.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+804.64 грн
20+ 585.82 грн
50+ 520.17 грн
100+ 470.91 грн
200+ 411.16 грн
500+ 368.29 грн
1000+ 345.27 грн
2000+ 344.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT059N15N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPT059N15N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній