Технічний опис IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPT059N15N3ATMA1 за ціною від 156.63 грн до 455.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 41049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V |
на замовлення 1228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPT059N15N3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPT059N15N3ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPT059N15N3ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 258.74 грн |
| 500+ | 245.86 грн |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 258.74 грн |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 41049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 258.74 грн |
| 500+ | 245.86 грн |
| 1000+ | 231.81 грн |
| 10000+ | 209.98 грн |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 396.41 грн |
| 10+ | 254.98 грн |
| 100+ | 183.10 грн |
| 500+ | 156.63 грн |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 422.69 грн |
| 38+ | 374.18 грн |
| 100+ | 287.85 грн |
| 500+ | 262.13 грн |
| 1000+ | 208.45 грн |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 432.14 грн |
| 10+ | 363.34 грн |
| 100+ | 284.98 грн |
| 500+ | 255.09 грн |
| 1000+ | 209.01 грн |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 455.19 грн |
| 38+ | 376.77 грн |
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT059N15N3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)