IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies


IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+163.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT059N15N3ATMA1 за ціною від 143.24 грн до 405.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+172.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 41049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+226.87 грн
500+215.58 грн
1000+203.26 грн
10000+184.12 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+226.87 грн
500+215.58 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+226.87 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON 3750004.pdf Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+233.62 грн
500+180.51 грн
1000+143.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.38 грн
10+266.73 грн
100+203.00 грн
500+178.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON 3750004.pdf Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+351.28 грн
10+284.77 грн
100+225.94 грн
500+186.84 грн
1000+148.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT059N15N3-DS-v02_02-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.78 грн
10+289.31 грн
100+199.13 грн
500+187.73 грн
1000+161.13 грн
2000+154.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+370.63 грн
38+328.09 грн
100+252.40 грн
500+229.84 грн
1000+182.78 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+399.12 грн
38+330.36 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+405.98 грн
10+341.35 грн
100+267.73 грн
500+239.65 грн
1000+196.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt059n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC97DF0F24411C&compId=IPT059N15N3-DTE.pdf?ci_sign=66cd6e0cfb8b27ca5ca43a5281c03ffd44ab639a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.