IPT063N15N5ATMA1

IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipt063n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
N Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+181.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT063N15N5ATMA1 за ціною від 132.10 грн до 408.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt063n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+185.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+191.83 грн
500+159.01 грн
1000+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt063n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+272.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.76 грн
10+220.63 грн
100+158.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.59 грн
10+268.39 грн
100+191.83 грн
500+159.01 грн
1000+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT063N15N5_DataSheet_v02_01_EN-3362795.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.42 грн
10+268.39 грн
100+167.33 грн
500+149.72 грн
2000+137.97 грн
4000+132.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt063n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt063n15n5-datasheet-v02_01-en.pdf SP005537534
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.