Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT067N20NM6ATMA1
IPT067N20NM6ATMA1

IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+204.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.

Інші пропозиції IPT067N20NM6ATMA1 за ціною від 226.17 грн до 703.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+288.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+288.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+289.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+290.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+375.14 грн
100+356.33 грн
500+337.51 грн
1000+307.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+375.14 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.06 грн
10+356.56 грн
25+320.81 грн
100+307.36 грн
250+282.83 грн
500+269.74 грн
1000+268.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.06 грн
40+356.56 грн
44+320.81 грн
100+307.36 грн
250+282.83 грн
500+269.74 грн
1000+268.05 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.91 грн
10+343.14 грн
50+272.85 грн
100+234.85 грн
500+226.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+696.24 грн
10+489.86 грн
50+394.40 грн
100+357.15 грн
500+319.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+703.75 грн
29+495.13 грн
50+398.65 грн
100+360.99 грн
500+322.87 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt067n20nm6_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+288.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+288.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+289.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+290.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+375.14 грн
100+356.33 грн
500+337.51 грн
1000+307.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+375.14 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+409.06 грн
10+356.56 грн
25+320.81 грн
100+307.36 грн
250+282.83 грн
500+269.74 грн
1000+268.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+409.06 грн
40+356.56 грн
44+320.81 грн
100+307.36 грн
250+282.83 грн
500+269.74 грн
1000+268.05 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.91 грн
10+343.14 грн
50+272.85 грн
100+234.85 грн
500+226.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+696.24 грн
10+489.86 грн
50+394.40 грн
100+357.15 грн
500+319.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+703.75 грн
29+495.13 грн
50+398.65 грн
100+360.99 грн
500+322.87 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineon_ipt067n20nm6_datasheet_en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.