IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 200.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.
Інші пропозиції IPT067N20NM6ATMA1 за ціною від 222.01 грн до 706.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 5715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >150 - 400V |
на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPT067N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 289.93 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 289.93 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 290.67 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 291.49 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 376.82 грн |
| 100+ | 357.92 грн |
| 500+ | 339.02 грн |
| 1000+ | 308.69 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 376.82 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 410.89 грн |
| 10+ | 358.16 грн |
| 25+ | 322.24 грн |
| 100+ | 308.73 грн |
| 250+ | 284.09 грн |
| 500+ | 270.94 грн |
| 1000+ | 269.24 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 410.89 грн |
| 40+ | 358.16 грн |
| 44+ | 322.24 грн |
| 100+ | 308.73 грн |
| 250+ | 284.09 грн |
| 500+ | 270.94 грн |
| 1000+ | 269.24 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 517.24 грн |
| 10+ | 336.84 грн |
| 50+ | 267.84 грн |
| 100+ | 230.54 грн |
| 500+ | 222.01 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 699.35 грн |
| 10+ | 492.04 грн |
| 50+ | 396.16 грн |
| 100+ | 358.74 грн |
| 500+ | 320.85 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 706.89 грн |
| 29+ | 497.34 грн |
| 50+ | 400.43 грн |
| 100+ | 362.60 грн |
| 500+ | 324.31 грн |
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT067N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)