IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 238.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPT067N20NM6ATMA1 за ціною від 240.22 грн до 711.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 9915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V |
на замовлення 4849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >150 - 400V |
на замовлення 4033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPT067N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 137A; Idm: 548A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 137A Pulsed drain current: 548A Power dissipation: 300W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |