Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT067N20NM6ATMA1
IPT067N20NM6ATMA1

IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+242.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPT067N20NM6ATMA1 за ціною від 244.57 грн до 724.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+338.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+338.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+439.63 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 9915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+439.63 грн
100+417.23 грн
500+396.02 грн
1000+360.28 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.48 грн
10+351.16 грн
100+287.40 грн
500+265.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+509.00 грн
50+418.43 грн
100+335.50 грн
250+328.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+582.21 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT067N20NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.19 грн
10+415.81 грн
100+265.72 грн
500+262.20 грн
1000+244.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+724.44 грн
5+616.72 грн
10+509.00 грн
50+418.43 грн
100+335.50 грн
250+328.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+338.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+338.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
81+439.63 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 9915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
81+439.63 грн
100+417.23 грн
500+396.02 грн
1000+360.28 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+484.48 грн
10+351.16 грн
100+287.40 грн
500+265.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+509.00 грн
50+418.43 грн
100+335.50 грн
250+328.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+582.21 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 Infineon-IPT067N20NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+619.19 грн
10+415.81 грн
100+265.72 грн
500+262.20 грн
1000+244.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+724.44 грн
5+616.72 грн
10+509.00 грн
50+418.43 грн
100+335.50 грн
250+328.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.