IPT111N20NFDATMA1

IPT111N20NFDATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPT111N20NFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8b4b786fc2 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+275.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT111N20NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT111N20NFDATMA1 за ціною від 243.92 грн до 991.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3685infineon-ipt111n20nfd-ds-v02_01-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 96A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+297.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+298.73 грн
500+275.06 грн
1000+248.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3685infineon-ipt111n20nfd-ds-v02_01-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+340.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3685infineon-ipt111n20nfd-ds-v02_01-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+388.63 грн
4000+356.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+473.62 грн
50+442.66 грн
100+411.70 грн
500+345.77 грн
1000+301.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT111N20NFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8b4b786fc2 Description: MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.36 грн
10+365.27 грн
100+267.39 грн
500+243.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT111N20NFD_DS_v02_01_EN-1122167.pdf MOSFETs N
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.19 грн
10+472.66 грн
100+303.59 грн
500+283.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3685infineon-ipt111n20nfd-ds-v02_01-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+991.76 грн
14+897.16 грн
50+797.36 грн
100+700.72 грн
200+626.53 грн
500+552.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3685infineon-ipt111n20nfd-ds-v02_01-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 96A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.