Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT129N20NM6ATMA1
IPT129N20NM6ATMA1

IPT129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipt129n20nm6datasheetv0200en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+311.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPT129N20NM6ATMA1 за ціною від 217.35 грн до 570.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT129N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3286e90d0f26 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.57 грн
10+366.49 грн
100+267.65 грн
500+219.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT129N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.09 грн
10+381.22 грн
100+247.06 грн
500+229.86 грн
2000+217.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt129n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt129n20nm6datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt129n20nm6datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT129N20NM6ATMA1 IPT129N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT129N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3286e90d0f26 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.