Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT210N25NFDATMA1
IPT210N25NFDATMA1

IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies

3684infineon-ipt210n25nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+510.38 грн
100+484.51 грн
500+459.82 грн
1000+418.45 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MV POWER MOS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPT210N25NFDATMA1 за ціною від 253.44 грн до 669.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies 3684infineon-ipt210n25nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 35823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+510.38 грн
100+484.51 грн
500+459.82 грн
1000+418.45 грн
10000+364.35 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2 Description: MV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.32 грн
10+441.35 грн
100+326.72 грн
500+260.82 грн
1000+253.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 3684infineon-ipt210n25nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf
IPT210N25NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 35823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+510.38 грн
100+484.51 грн
500+459.82 грн
1000+418.45 грн
10000+364.35 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2
IPT210N25NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+669.32 грн
10+441.35 грн
100+326.72 грн
500+260.82 грн
1000+253.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.