Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT210N25NFDATMA1
IPT210N25NFDATMA1

IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies

3684infineon-ipt210n25nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 69A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MV POWER MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V.

Інші пропозиції IPT210N25NFDATMA1 за ціною від 287.17 грн до 686.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2 Description: MV POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.63 грн
10+453.30 грн
100+335.60 грн
500+287.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3684infineon-ipt210n25nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401537.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2 IPT210N25NFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2 Description: MV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT210N25NFD_DS_v02_00_EN-1128470.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.