Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT210N25NFDATMA1
IPT210N25NFDATMA1

IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+662.47 грн
10+437.35 грн
100+323.79 грн
500+277.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MV POWER MOS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPT210N25NFDATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2 Description: MV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT210N25NFD_DS_v02_00_EN-1128470.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 Infineon-IPT210N25NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537a8be9c171f2
IPT210N25NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT210N25NFDATMA1 Infineon_IPT210N25NFD_DS_v02_00_EN-1128470.pdf
IPT210N25NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.