Продукція > INFINEON > IPT60R016CM8XTMA1
IPT60R016CM8XTMA1

IPT60R016CM8XTMA1 INFINEON

4379500.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R016CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 142 A, 0.016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+903.66 грн
50+803.96 грн
100+634.42 грн
250+622.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R016CM8XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT60R016CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 142 A, 0.016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 694W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

Інші пропозиції IPT60R016CM8XTMA1 за ціною від 567.46 грн до 1486.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT60R016CM8XTMA1 IPT60R016CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT60R016CM8_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1166.22 грн
10+812.15 грн
100+604.05 грн
1000+567.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R016CM8XTMA1 IPT60R016CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R016CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c5dce6629b6 Description: IPT60R016CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1187.47 грн
10+808.67 грн
100+696.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R016CM8XTMA1 IPT60R016CM8XTMA1 INFINEON 4379500.pdf Description: INFINEON - IPT60R016CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 142 A, 0.016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.20 грн
5+1063.93 грн
10+903.66 грн
50+803.96 грн
100+634.42 грн
250+622.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R016CM8XTMA1 IPT60R016CM8XTMA1 Infineon Technologies infineon-ipt60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 142A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1486.04 грн
12+1187.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R016CM8XTMA1 Infineon_IPT60R016CM8_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPT60R016CM8XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1166.22 грн
10+812.15 грн
100+604.05 грн
1000+567.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R016CM8XTMA1 Infineon-IPT60R016CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c5dce6629b6
IPT60R016CM8XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPT60R016CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1187.47 грн
10+808.67 грн
100+696.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R016CM8XTMA1 4379500.pdf
IPT60R016CM8XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R016CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 142 A, 0.016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1224.20 грн
5+1063.93 грн
10+903.66 грн
50+803.96 грн
100+634.42 грн
250+622.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R016CM8XTMA1 infineon-ipt60r016cm8-datasheet-v02_01-en.pdf
IPT60R016CM8XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 142A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1486.04 грн
12+1187.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.