IPT60R028G7XTMA1

IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPT60R028G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e82df70e30 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+524.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPT60R028G7XTMA1 за ціною від 559.85 грн до 1507.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT60R028G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e82df70e30 Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+826.93 грн
50+805.48 грн
100+784.02 грн
500+708.09 грн
1000+635.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R028G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e82df70e30 Description: MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 400 V
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+983.62 грн
10+664.41 грн
100+591.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60r028g7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+988.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT60R028G7_DataSheet_v02_01_EN-3362932.pdf MOSFETs HIGH POWER NEW
на замовлення 3086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.97 грн
10+811.35 грн
25+704.78 грн
50+698.16 грн
100+559.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT60R028G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e82df70e30 Description: INFINEON - IPT60R028G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+1150.45 грн
50+818.68 грн
100+633.82 грн
500+586.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60r028g7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1399.95 грн
10+1246.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60r028g7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1507.64 грн
10+1342.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60r028g7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R028G7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 4597infineon-ipt60r028g7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a13.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.