IPT60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 351W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 326.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT60R035CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 351W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPT60R035CFD7XTMA1 за ціною від 340.62 грн до 697.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT60R035CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 351W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT60R035CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPT60R035CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 67A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |