IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 202.40 грн |
| 10+ | 199.40 грн |
| 25+ | 196.32 грн |
| 100+ | 186.33 грн |
| 250+ | 169.78 грн |
| 500+ | 160.34 грн |
| 1000+ | 157.70 грн |
| 3000+ | 155.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPT60R065S7XTMA1 за ціною від 137.96 грн до 446.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPT60R065S7XTMA1 Код товару: 213119
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IPT60R065S7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ S7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 167W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 137mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |