Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT60R065S7XTMA1
IPT60R065S7XTMA1

IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies

infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+193.37 грн
64+190.53 грн
65+187.60 грн
100+178.09 грн
250+162.36 грн
500+153.36 грн
1000+150.86 грн
3000+148.42 грн
6000+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT60R065S7XTMA1 за ціною від 139.05 грн до 234.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : INFINEON 3154688.pdf Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+197.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : INFINEON 3154688.pdf Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+206.27 грн
10+202.01 грн
100+197.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.18 грн
10+204.14 грн
25+201.01 грн
100+190.81 грн
250+173.96 грн
500+164.32 грн
1000+161.63 грн
3000+159.03 грн
6000+156.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+207.93 грн
500+196.77 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.91 грн
10+216.70 грн
100+173.24 грн
500+167.16 грн
2000+139.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1
Код товару: 213119
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60r065s7-datasheet-v02_01-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 8A; Idm: 126A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ S7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 137mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.