Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPT60R065S7XTMA1

IPT60R065S7XTMA1

Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a
Код товару: 213119
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPT60R065S7XTMA1 за ціною від 103.83 грн до 404.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+135.58 грн
105+133.54 грн
106+131.41 грн
108+124.76 грн
250+113.70 грн
500+107.40 грн
1000+105.58 грн
3000+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : INFINEON 3154688.pdf Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+195.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+197.06 грн
6+135.58 грн
10+133.54 грн
25+126.72 грн
100+115.51 грн
250+109.15 грн
500+107.40 грн
1000+105.58 грн
3000+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+225.74 грн
500+214.16 грн
1000+201.43 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT60R065S7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.06 грн
10+238.83 грн
100+158.53 грн
500+146.07 грн
1000+132.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : INFINEON 3154688.pdf Description: INFINEON - IPT60R065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.63 грн
10+289.94 грн
100+214.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipt60r065s7datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R065S7XTMA1 IPT60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc253e7b6779a Description: MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TEA2208T/1J
Код товару: 217148
Додати до обраних Обраний товар
TEA2208T.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Активний балансир 16S Li-ion/LiFePO4 на алюмінієвій платі 90x73мм
Код товару: 199010
3 Додати до обраних Обраний товар
balance-info.pdf
Активний балансир 16S Li-ion/LiFePO4 на алюмінієвій платі 90x73мм
+1
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Активний індуктивний балансир 16S для Li-ion та LiFePo4. Струм балансу: 1 А. Початок балансування при різниці напруг у сусідніх осередках >0,1 В. струмом до 0,5-0,7 А, якщо різниця напруги прилеглого елемента перевищує 0,3В, то максимальний струм вирівнювання становить до 1А. Закінчується балансування при різниці близько 0,03В. Застосовувати потрібно разом із платою захисту. Захист від низької напруги: <2,5В. Балансир не захищений від переполюсування. Коли індикатор вирівнювання світиться іде вирівнювання. Індикатор вирівнювання не світиться: закінчилося балансування. Індикатор блимає: порушення/неправильне підключення до елемента або ланцюг несправний. LTO не підтриму
Максимальний струм: 1 A
Кількість елементів: 16
Тип пристрою: Балансир для Li-ion/LifePo4
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+800.00 грн
10+735.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Препарат для очищення контактів від оксидів і сульфідів Kontakt S, 400мл. (ART.AGT-227) AG TermoPasty
Код товару: 125776
5 Додати до обраних Обраний товар
Препарат для очищення контактів від оксидів і сульфідів Kontakt S, 400мл. (ART.AGT-227) AG TermoPasty
Виробник: AG TermoPasty
Хімія > Засоби очищення
Опис: Препарат для очищення контактів від оксидів і сульфідів, що оберігає від корозії, забезпечує вільне протікання струму (особливо для окислених і зношених контактів). Застосовується скрізь, де потрібні чисті контакти (зокрема: перемикачі, гнізда, вилки, підставки під мікросхеми, виправки для лампочок, тримачі запобіжників, контакти в конденсаторах). Препарат не вступає в реакцію з матеріалами, що використовуються в електроніці.
Призначення: Електрообладнання
Упаковка: 400мл
Тип: Засоби очищення
у наявності: 69 шт
51 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+355.00 грн
10+320.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.