Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT60R075CFD7XTMA1
IPT60R075CFD7XTMA1

IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPT60R075CFD7_DataSheet_v02_03_EN-3362713.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.48 грн
10+310.29 грн
25+269.06 грн
100+193.81 грн
500+163.41 грн
1000+162.65 грн
2000+161.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPT60R075CFD7XTMA1 за ціною від 172.73 грн до 448.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60R075CFD7XTMA1 IPT60R075CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R075CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a0edb30e3 Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.90 грн
10+304.18 грн
100+219.61 грн
500+172.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1 IPT60R075CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60r075cfd7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1 IPT60R075CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R075CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a0edb30e3 Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.