Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e8059d0e2c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+220.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS G7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції IPT60R080G7XTMA1 за ціною від 167.75 грн до 507.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+241.76 грн
500+195.47 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.56 грн
10+331.39 грн
100+241.76 грн
500+195.47 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT60R080G7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.84 грн
10+328.27 грн
100+207.22 грн
500+195.94 грн
1000+182.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e8059d0e2c Description: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.47 грн
10+329.93 грн
100+239.86 грн
500+193.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R080G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+241.76 грн
500+195.47 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R080G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+492.56 грн
10+331.39 грн
100+241.76 грн
500+195.47 грн
1000+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 Infineon_IPT60R080G7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPT60R080G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+495.84 грн
10+328.27 грн
100+207.22 грн
500+195.94 грн
1000+182.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 Infineon-IPT60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13e8059d0e2c
IPT60R080G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+507.47 грн
10+329.93 грн
100+239.86 грн
500+193.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.