Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT60R125CFD7XTMA1
IPT60R125CFD7XTMA1

IPT60R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT60R125CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df3363c03179 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.08 грн
10+208.14 грн
100+147.44 грн
500+114.08 грн
1000+108.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPT60R125CFD7XTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60R125CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R125CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df3363c03179 SP005346348
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1 IPT60R125CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R125CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df3363c03179 Description: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1 IPT60R125CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT60R125CFD7_DataSheet_v02_03_EN-3362639.pdf MOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.