на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.06 грн |
| 10+ | 192.90 грн |
| 100+ | 122.86 грн |
| 250+ | 122.12 грн |
| 500+ | 108.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPT60R145CFD7XTMA1 за ціною від 99.07 грн до 308.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT60R145CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPT60R145CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPT60R145CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |