Продукція > INFINEON > IPT60R150G7XTMA1
IPT60R150G7XTMA1

IPT60R150G7XTMA1 INFINEON

Infineon-IPT60R150G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13d5af7b0e28 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+142.77 грн
500+100.39 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R150G7XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS G7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT60R150G7XTMA1 за ціною від 85.59 грн до 314.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60R150G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT60R150G7_DataSheet_v02_01_EN-3362978.pdf MOSFETs HIGH POWER NEW
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.76 грн
10+181.05 грн
25+155.96 грн
100+131.69 грн
500+113.30 грн
1000+112.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPT60R150G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13d5af7b0e28 Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+279.77 грн
10+193.94 грн
100+142.77 грн
500+100.39 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R150G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13d5af7b0e28 Description: MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.34 грн
10+199.17 грн
100+140.56 грн
500+108.43 грн
1000+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60r150g7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60R150G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13d5af7b0e28 Description: MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.