IPT60R180CM8XTMA1

IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
Description: IPT60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.85 грн
10+115.20 грн
100+93.61 грн
500+75.14 грн
1000+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: IPT60R180CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPT60R180CM8XTMA1 за ціною від 68.94 грн до 167.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60R180CM8XTMA1 IPT60R180CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT60R180CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445913.pdf SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.63 грн
10+128.51 грн
100+94.34 грн
250+87.08 грн
500+83.45 грн
1000+81.27 грн
2000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R180CM8XTMA1 IPT60R180CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IPT60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.