Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT60T022S7XTMA1
IPT60T022S7XTMA1

IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPT60T022S7_DataSheet_v02_01_EN-3369317.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+771.31 грн
10+651.68 грн
100+477.17 грн
2000+405.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 390W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції IPT60T022S7XTMA1 за ціною від 362.28 грн до 961.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.85 грн
5+718.69 грн
10+593.70 грн
50+507.00 грн
100+369.33 грн
250+362.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.85 грн
5+718.69 грн
10+593.70 грн
50+507.00 грн
100+369.33 грн
250+362.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60T022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5965fd7aeb Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+961.03 грн
10+641.16 грн
100+480.79 грн
500+409.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 4013788.pdf
IPT60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+842.85 грн
5+718.69 грн
10+593.70 грн
50+507.00 грн
100+369.33 грн
250+362.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 4013788.pdf
IPT60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+842.85 грн
5+718.69 грн
10+593.70 грн
50+507.00 грн
100+369.33 грн
250+362.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 Infineon-IPT60T022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5965fd7aeb
IPT60T022S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+961.03 грн
10+641.16 грн
100+480.79 грн
500+409.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.