IPT60T022S7XTMA1

IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPT60T022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5965fd7aeb Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.84 грн
10+608.93 грн
100+525.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60T022S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPT60T022S7XTMA1 за ціною від 432.58 грн до 889.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 Виробник : INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+755.96 грн
5+704.79 грн
10+653.62 грн
50+554.83 грн
100+470.41 грн
250+461.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 Виробник : INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+755.96 грн
5+704.79 грн
10+653.62 грн
50+554.83 грн
100+470.41 грн
250+461.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPT60T022S7_DataSheet_v02_01_EN-3369317.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+889.19 грн
10+751.28 грн
25+592.22 грн
100+544.40 грн
250+512.77 грн
500+480.40 грн
1000+432.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipt60t022s7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPT60T022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5965fd7aeb Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.