
IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 482.26 грн |
10+ | 329.45 грн |
100+ | 249.63 грн |
500+ | 225.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V.
Інші пропозиції IPT60T040S7XTMA1 за ціною від 337.68 грн до 696.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPT60T040S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT60T040S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
IPT60T040S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |