Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT60T065S7XTMA1
IPT60T065S7XTMA1

IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT60T065S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c5977be7aee
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.80 грн
10+288.90 грн
100+208.32 грн
500+163.28 грн
1000+163.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

Інші пропозиції IPT60T065S7XTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT60T065S7XTMA1 IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT60T065S7_DataSheet_v02_01_EN-3369249.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1 IPT60T065S7XTMA1 INFINEON 4013790.pdf Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1 IPT60T065S7XTMA1 INFINEON 4013790.pdf Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1 Infineon_IPT60T065S7_DataSheet_v02_01_EN-3369249.pdf
IPT60T065S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1 4013790.pdf
IPT60T065S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1 4013790.pdf
IPT60T065S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.