IPT65R040CM8XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 506.77 грн |
| 10+ | 372.85 грн |
| 100+ | 262.16 грн |
| 500+ | 233.57 грн |
| 1000+ | 199.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R040CM8XTMA1 Infineon Technologies
Description: IPT65R040CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPT65R040CM8XTMA1 за ціною від 252.00 грн до 509.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT65R040CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IPT65R040CM8XTMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPT65R040CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPT65R040CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |