IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 177.13 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 201W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm.
Інші пропозиції IPT65R080CFD7XTMA1 за ціною від 186.64 грн до 433.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT65R080CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPT65R080CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPT65R080CFD7XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 433.45 грн |
| 10+ | 281.16 грн |
| 100+ | 203.32 грн |
| 500+ | 186.64 грн |
| IPT65R080CFD7XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)