IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 347.78 грн |
| 10+ | 224.65 грн |
| 100+ | 160.00 грн |
| 500+ | 142.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції IPT65R099CFD7XTMA1 за ціною від 124.48 грн до 368.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT65R099CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPT65R099CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005537607 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IPT65R099CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товару немає в наявності |