IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 398.30 грн |
| 10+ | 255.35 грн |
| 100+ | 182.98 грн |
| 500+ | 155.29 грн |
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Технічний опис IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPT65R099CFD7XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPT65R099CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPT65R099CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT65R099CFD7XTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
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Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT65R099CFD7XTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)