IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 110.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm.
Інші пропозиції IPT65R125CFD7XTMA1 за ціною від 116.45 грн до 354.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPT65R125CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEWPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPT65R125CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IPT65R125CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.71 грн |
| 10+ | 191.76 грн |
| 100+ | 135.97 грн |
| 500+ | 116.45 грн |
| IPT65R125CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.01 грн |
| 10+ | 244.44 грн |
| 25+ | 200.09 грн |
| 100+ | 153.92 грн |
| 250+ | 150.99 грн |
| 500+ | 127.53 грн |
| 1000+ | 121.67 грн |



