Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT65R125CFD7XTMA1
IPT65R125CFD7XTMA1

IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+113.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm.

Інші пропозиції IPT65R125CFD7XTMA1 за ціною від 119.54 грн до 380.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.67 грн
10+196.84 грн
100+139.57 грн
500+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies infineon_ipt65r125cfd7_datasheet_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+380.94 грн
10+194.67 грн
100+154.23 грн
500+134.67 грн
1000+132.42 грн
2000+127.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
IPT65R125CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.67 грн
10+196.84 грн
100+139.57 грн
500+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1 infineon_ipt65r125cfd7_datasheet_en.pdf
IPT65R125CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.94 грн
10+194.67 грн
100+154.23 грн
500+134.67 грн
1000+132.42 грн
2000+127.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.