IPT65R155CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R155CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IPT65R155CFD7XTMA1 за ціною від 102.59 грн до 277.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPT65R155CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPT65R155CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPT65R155CFD7XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.42 грн |
| 10+ | 174.91 грн |
| 100+ | 122.73 грн |
| 500+ | 102.59 грн |
| IPT65R155CFD7XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)