IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 287.19 грн |
| 10+ | 181.32 грн |
| 100+ | 127.18 грн |
| 500+ | 99.32 грн |
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Технічний опис IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 106W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm.
Інші пропозиції IPT65R190CFD7XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPT65R190CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 106W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPT65R190CFD7XTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)