IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.43 грн |
| 10+ | 167.37 грн |
| 100+ | 116.67 грн |
| 500+ | 94.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції IPT65R190CFD7XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPT65R190CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005537513 |
товару немає в наявності |
||
|
|
IPT65R190CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IPT65R190CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |