Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1 Infineon Technologies

Name: IPT65R195G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 45901081-3
Price: 22109.72 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPT65R195G7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701541902292a4f21

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

на замовлення 172664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
148+	149.39 грн

Мінімальне замовлення: 148

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPT65R195G7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPT65R195G7XTMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPT65R195G7XTMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPT65R195G7XTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPT65R195G7XTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.