Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTC011N08NM5ATMA1
IPTC011N08NM5ATMA1

IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+278.16 грн
500+262.83 грн
1000+248.69 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 408A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPTC011N08NM5ATMA1 за ціною від 248.69 грн до 319.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+278.16 грн
500+262.83 грн
1000+248.69 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+318.44 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 INFINEON 3811992.pdf Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 INFINEON 3811992.pdf Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+278.16 грн
500+262.83 грн
1000+248.69 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+318.44 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 3811992.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 3811992.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.