Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTC011N08NM5ATMA1
IPTC011N08NM5ATMA1

IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
128+278.16 грн
500+262.83 грн
1000+248.69 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 408A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPTC011N08NM5ATMA1 за ціною від 179.03 грн до 505.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+278.16 грн
500+262.83 грн
1000+248.69 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+318.44 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 INFINEON 3811992.pdf Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+472.82 грн
50+316.58 грн
100+293.56 грн
500+250.45 грн
1000+211.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 INFINEON 3811992.pdf Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+472.82 грн
50+316.58 грн
100+293.56 грн
500+250.45 грн
1000+211.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTC011N08NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.56 грн
10+325.03 грн
100+226.95 грн
500+201.58 грн
1000+179.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e988ff2f7436 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.89 грн
10+326.65 грн
100+235.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
128+278.16 грн
500+262.83 грн
1000+248.69 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+318.44 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 infineoniptc011n08nm5datasheetv0200en.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 3811992.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+472.82 грн
50+316.58 грн
100+293.56 грн
500+250.45 грн
1000+211.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 3811992.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+472.82 грн
50+316.58 грн
100+293.56 грн
500+250.45 грн
1000+211.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon_IPTC011N08NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+492.56 грн
10+325.03 грн
100+226.95 грн
500+201.58 грн
1000+179.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon-IPTC011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e988ff2f7436
IPTC011N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+505.89 грн
10+326.65 грн
100+235.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.