IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 128+ | 255.56 грн |
| 500+ | 241.49 грн |
| 1000+ | 228.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 408A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPTC011N08NM5ATMA1 за ціною від 161.46 грн до 470.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 3757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 408A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 408A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPTC011N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |