IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH 40.
Інші пропозиції IPTC012N06NM5ATMA1 за ціною від 176.06 грн до 485.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPTC012N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V |
на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPTC012N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPTC012N06NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 485.97 грн |
| 10+ | 313.01 грн |
| 100+ | 225.10 грн |
| 500+ | 176.06 грн |
| IPTC012N06NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



