
IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 274.28 грн |
10+ | 249.92 грн |
25+ | 243.47 грн |
50+ | 234.55 грн |
100+ | 194.48 грн |
250+ | 182.54 грн |
500+ | 171.61 грн |
1000+ | 161.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R.
Інші пропозиції IPTC012N06NM5ATMA1 за ціною від 162.41 грн до 432.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPTC012N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IPTC012N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
IPTC012N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |