IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPTC012N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456ebf8b834c2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC012N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 311 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 311A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm.

Інші пропозиції IPTC012N06NM5ATMA1 за ціною від 111.68 грн до 437.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC012N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456ebf8b834c2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.43 грн
10+198.75 грн
50+154.37 грн
100+131.47 грн
500+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.91 грн
10+321.56 грн
25+313.26 грн
50+301.79 грн
100+250.23 грн
250+234.86 грн
500+220.80 грн
1000+208.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+352.91 грн
46+321.56 грн
47+313.26 грн
50+301.79 грн
100+250.23 грн
250+234.86 грн
500+220.80 грн
1000+208.25 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTC012N06NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+437.12 грн
10+288.98 грн
100+180.57 грн
500+176.80 грн
1000+167.02 грн
1800+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 INFINEON infineon-iptc012n06nm5-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPTC012N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 311 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 311A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon-IPTC012N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456ebf8b834c2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.43 грн
10+198.75 грн
50+154.37 грн
100+131.47 грн
500+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+352.91 грн
10+321.56 грн
25+313.26 грн
50+301.79 грн
100+250.23 грн
250+234.86 грн
500+220.80 грн
1000+208.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+352.91 грн
46+321.56 грн
47+313.26 грн
50+301.79 грн
100+250.23 грн
250+234.86 грн
500+220.80 грн
1000+208.25 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon_IPTC012N06NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.12 грн
10+288.98 грн
100+180.57 грн
500+176.80 грн
1000+167.02 грн
1800+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 infineon-iptc012n06nm5-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC012N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 311 A, 0.0012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 311A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.