IPTC012N06NM5ATMA1

IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.28 грн
10+249.92 грн
25+243.47 грн
50+234.55 грн
100+194.48 грн
250+182.54 грн
500+171.61 грн
1000+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R.

Інші пропозиції IPTC012N06NM5ATMA1 за ціною від 162.41 грн до 432.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+295.38 грн
46+269.14 грн
47+262.20 грн
50+252.60 грн
100+209.44 грн
250+196.58 грн
500+184.81 грн
1000+174.30 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC012N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456ebf8b834c2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.24 грн
10+278.22 грн
100+207.01 грн
500+162.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTC012N06NM5_DataSheet_v02_00_EN-3107339.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.15 грн
10+357.33 грн
25+293.12 грн
100+251.02 грн
250+238.01 грн
500+223.47 грн
1000+191.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc012n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC012N06NM5ATMA1 IPTC012N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC012N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018456ebf8b834c2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.