IPTC012N08NM5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 396A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 574.94 грн |
| 50+ | 424.24 грн |
| 100+ | 313.68 грн |
| 500+ | 282.91 грн |
| 1000+ | 256.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC012N08NM5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 396A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPTC012N08NM5ATMA1 за ціною від 256.93 грн до 662.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 396A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT package for higher thermal cycling on board performance |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT package for higher thermal cycling on board performance |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPTC012N08NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |