Продукція > INFINEON > IPTC014N10NM5ATMA1
IPTC014N10NM5ATMA1

IPTC014N10NM5ATMA1 INFINEON


3811993.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+429.76 грн
50+383.01 грн
100+338.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC014N10NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pins, Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPTC014N10NM5ATMA1 за ціною від 229.11 грн до 605.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.27 грн
10+311.68 грн
100+249.48 грн
500+229.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3811993.pdf Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+602.65 грн
5+516.21 грн
10+429.76 грн
50+383.01 грн
100+338.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTC014N10NM5_DataSheet_v02_00_EN-3073810.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.35 грн
10+415.25 грн
100+270.81 грн
500+261.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc014n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc014n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.