IPTC015N10NM5ATMA1

IPTC015N10NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPTC015N10NM5_DataSheet_v02_01_EN-3362896.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3559 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.84 грн
10+484.23 грн
25+415.79 грн
100+354.66 грн
250+353.91 грн
500+316.18 грн
3600+286.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC015N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 354A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPTC015N10NM5ATMA1 за ціною від 329.41 грн до 564.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC015N10NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3328481.pdf Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 354A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+444.42 грн
50+385.16 грн
100+330.14 грн
250+329.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC015N10NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3328481.pdf Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 0.0013 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 354A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+564.62 грн
5+504.52 грн
10+444.42 грн
50+385.16 грн
100+330.14 грн
250+329.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC015N10NM5ATMA1 IPTC015N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc015n10nm5-datasheet-v02_01-en.pdf MOSFET Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC015N10NM5ATMA1 IPTC015N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC015N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519c05e2532 Description: MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 354A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC015N10NM5ATMA1 IPTC015N10NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC015N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a519c05e2532 Description: MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 354A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.