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Технічний опис IPTC015N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 354A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.
Інші пропозиції IPTC015N10NM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPTC015N10NM5ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 354A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| IPTC015N10NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 354A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPTC015N10NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTC015N10NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
Description: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HDSOP
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Produktpalette: OptiMOS 5
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на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)