IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPTC017N12NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a6afa537e
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+599.45 грн
10+392.39 грн
100+288.02 грн
500+266.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 331A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції IPTC017N12NM6ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPTC017N12NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTC017N12NM6_DataSheet_v02_01_EN-3084341.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC017N12NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098637.pdf Description: INFINEON - IPTC017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon_IPTC017N12NM6_DataSheet_v02_01_EN-3084341.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC017N12NM6ATMA1 4098637.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.