IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 560.25 грн |
| 10+ | 382.09 грн |
| 100+ | 298.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V.
Інші пропозиції IPTC017N12NM6ATMA1 за ціною від 250.87 грн до 613.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTC017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPTC017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 32A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPTC017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 32A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPTC017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IPTC017N12NM6ATMA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPTC017N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPTC017N12NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; PG-HDSOP-16 Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-HDSOP-16 |
товару немає в наявності |