Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTC026N12NM6ATMA1
IPTC026N12NM6ATMA1

IPTC026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPTC026N12NM6_DataSheet_v02_00_EN-3398041.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.16 грн
10+336.31 грн
25+269.95 грн
100+245.27 грн
250+233.66 грн
500+227.13 грн
1800+215.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 222A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 115A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 169µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 60 V.

Інші пропозиції IPTC026N12NM6ATMA1 за ціною від 206.29 грн до 471.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC026N12NM6ATMA1 IPTC026N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC026N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35cc74f919ef Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 60 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.77 грн
10+336.22 грн
100+243.26 грн
500+206.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC026N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc026n12nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC026N12NM6ATMA1 IPTC026N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC026N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35cc74f919ef Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.