IPTC039N15NM5ATMA1

IPTC039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-iptc039n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 19800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+434.70 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPTC039N15NM5ATMA1 за ціною від 199.62 грн до 535.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC039N15NM5ATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8d199be3f66 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.95 грн
10+325.52 грн
100+236.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC039N15NM5ATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTC039N15NM5_DataSheet_v02_01_EN-3362857.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.14 грн
10+356.17 грн
100+268.61 грн
250+225.31 грн
500+199.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC039N15NM5ATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc039n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC039N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc039n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC039N15NM5ATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8d199be3f66 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.