IPTC044N15NM5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPTC044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 384.58 грн |
| 50+ | 303.47 грн |
| 100+ | 210.09 грн |
| 250+ | 202.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC044N15NM5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPTC044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPTC044N15NM5ATMA1 за ціною від 202.31 грн до 569.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTC044N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPTC044N15NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPTC044N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 1878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPTC044N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPTC044N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |