Продукція > INFINEON > IPTC063N15NM5ATMA1
IPTC063N15NM5ATMA1

IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON


Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+209.33 грн
500+182.48 грн
1000+164.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPTC063N15NM5ATMA1 за ціною від 143.95 грн до 438.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.88 грн
10+249.84 грн
100+179.13 грн
500+163.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.64 грн
10+275.91 грн
100+172.13 грн
500+166.04 грн
1800+143.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0051 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+438.31 грн
10+293.06 грн
100+209.33 грн
500+182.48 грн
1000+164.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc063n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc063n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.