Продукція > INFINEON > IPTC063N15NM5ATMA1
IPTC063N15NM5ATMA1

IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON


3811997.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+213.31 грн
500+189.33 грн
1000+171.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPTC063N15NM5ATMA1 за ціною від 144.33 грн до 443.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.39 грн
10+252.17 грн
100+180.77 грн
500+164.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.75 грн
10+276.64 грн
100+172.59 грн
500+166.48 грн
1800+144.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3811997.pdf Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.76 грн
10+297.27 грн
100+213.31 грн
500+189.33 грн
1000+171.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc063n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc063n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.