IPTC063N15NM5ATMA1

IPTC063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V
на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+173.37 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPTC063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IPTC063N15NM5ATMA1 за ціною від 170.51 грн до 477.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPTC063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d87824283e8d Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 163µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 75 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.88 грн
10+258.87 грн
100+185.30 грн
500+170.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPTC063N15NM5_DataSheet_v02_01_EN-3362858.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.21 грн
10+319.80 грн
100+203.05 грн
500+181.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc063n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iptc063n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 16.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.