IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 427.52 грн |
| 100+ | 405.59 грн |
| 500+ | 384.89 грн |
| 1000+ | 350.00 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
86 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 319W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm.
Інші пропозиції IPTC068N20NM6ATMA1 за ціною від 249.25 грн до 631.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTC068N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPTC068N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 319W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPTC068N20NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPTC068N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 631.50 грн |
| 10+ | 336.71 грн |
| 100+ | 269.52 грн |
| 500+ | 263.51 грн |
| 1000+ | 249.25 грн |
| IPTC068N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTC068N20NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)