IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 251.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 454A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPTG007N06NM5ATMA1 за ціною від 227.03 грн до 619.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
на замовлення 46800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 454A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 454A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 680µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V |
на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 5516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPTG007N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance |
товару немає в наявності |